【半导体物理,陷阱,状态密度,1.我对半导体物理里陷阱的概念不是很清楚,以n型半导体为例,其之所以是n型,是因为它掺入了施主杂质,产生了施主能级,那陷阱是不是也可以看成是一种能级,只不过】

　　半导体物理,陷阱,状态密度,

　　1.我对半导体物理里陷阱的概念不是很清楚,以n型半导体为例,其之所以是n型,是因为它掺入了施主杂质,产生了施主能级,那陷阱是不是也可以看成是一种能级,只不过它比施主能级还要低一些（或者说更深一些）,并且这个陷阱能级也是通过杂质产生的还是材料本身的缺陷产生的?

　　2.关于费米分布和费米能级,我个人觉得电子占据能级的几率既然服从费米分布,而费米分布是与E成e指数的倒数关系,那么费米能级以下就应该不是被电子完全占据的,不知道我这个想法是不是对的?

　　3.导带状态密度N(E)正比与E的1/2次方,价带也是如此.另外,对于n型半导体,施主杂质的状态密度就是施主杂质的浓度,那么陷阱的状态密度是什么呢,就是产生陷阱的杂质（或者是缺陷）浓度吗?