（2014•湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3700℃3CH4+GaAs（CH3）3Ga+AsH3700℃3CH4+

　　（2014•湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，

　　（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3700℃

　　3CH4+GaAs

　　（CH3）3Ga+AsH3700℃

　　3CH4+GaAs

　　．

　　（2）AsH3空间构型为______．已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是______．

　　（3）砷化镓晶体中最近的砷和镓原子核间距为a cm，砷化镓的摩尔质量为b g•mol-1，阿伏伽德罗常数值为NA，则砷化镓晶体密度的表达式3

　　3b16a3NA

　　3

　　3b16a3NA

　　g•cm-3．