【以沉淀法除去工业级偏钒酸铵（NH4VO3）中硅、磷元素杂质的流程如图1：（1）碱熔时，下列措施有利于NH3逸出的是___．a．升温b．加压c．增大NaOH溶液浓度（2）滤渣主要】

　　以沉淀法除去工业级偏钒酸铵（NH4VO3）中硅、磷元素杂质的流程如图1：

　　（1）碱熔时，下列措施有利于NH3逸出的是___．

　　a．升温 b． 加压 c．增大NaOH溶液浓度

　　（2）滤渣主要成分为Mg3（PO4）2、MgSiO3，已知Ksp[Mg3（PO4）2]=6.4×10-26，Ksp（MgSiO3）=2.3×10-5．若滤液中c（PO 3-

　　4

　　）≤10-6 mol•L-1，则c（Mg2+）至少为___mol•L-1．

　　（3）由图可知，加入一定量的MgSO4溶液作沉淀剂．随着温度升高，除磷率下降，其原因是Mg3（PO4）2溶解度增大、___；随着温度升高，除硅率增大，其原因是___（用离子方程式表示）．

　　（4）沉钒时，反应温度需控制在50℃，在实验室可采取的措施为___．在此温度和pH=8的最佳条件下，探究NH4Cl的浓度对沉钒率的影响，设计实验步骤（常见试剂任选）：取两份10mL一定浓度的滤液A和B，分别加入1mL和 10mL的1mol•L-1NH4Cl溶液，向___，控制两份溶液温度均为50℃、pH均为8，由专用仪器测定沉钒率．（忽略混合过程中溶液体积的变化）

　　（5）高纯的偏钒酸铵灼烧可制备新型光电材料V2O5，该反应的化学方程式为___．