单质硅是信息产业中重要的基础材料．通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用

　　单质硅是信息产业中重要的基础材料．通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅．以下是实验室制备四氯化硅的装置图（ABCD）和氢气还原SiCl4的实验装置图，加热部分装置省略（EFGH）：

　　相关信息：①四氯化硅遇水极易水解

　　②硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物

　　③有关物质的物理常数见下表：

　　物质SiCl4BCl3AlCl3FeCl3PCl5沸点/℃57.712.8-315-熔点/℃-70.0-107.2---升华温度/℃--180300162（1）写出工业制备粗硅的方程式2C+SiO2 高温 .

　　Si+2CO↑

　　2C+SiO2 高温 .

　　Si+2CO↑

　　；

　　（2）A中所发生的反应的离子方程式MnO2+4H++2Cl- △ .

　　Mn2++2H2O+Cl2↑

　　MnO2+4H++2Cl- △ .

　　Mn2++2H2O+Cl2↑

　　；

　　（3）B和C中分别装的试剂名称为______ 和______；

　　（4）提纯该反应中所得的四氯化硅的方法是______，制备四氯化硅的实验装置图有一个明显缺陷，请提出改进措施______；

　　（5）氢气还原四氯化硅的装置图中，G装置需要水浴加热，目的是______；

　　（6）氢气还原四氯化硅的装置图中，为保证实验安全，H装置加热之前必须进行的实验操作是______．