【制备硅单晶和多晶实验条件区别是什么】-查字典问答网
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  【制备硅单晶和多晶实验条件区别是什么】

  制备硅单晶和多晶实验条件区别是什么

1回答
2020-10-30 21:17
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何骏

  悬浮区熔法:

  主要用于提纯和生长硅单晶;其基本原理是:依靠熔体的表面张力,使熔区悬浮于多晶硅

  棒与下方生长出的单晶之间,通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶.具有如下特点:

  1.不使用坩埚,单晶生长过程不会被坩埚材料污染

  2.由于杂质分凝和蒸发效应,可以生长出高电阻率硅单晶

  多晶硅生产的西门子工艺,其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅,生成多晶硅沉积在硅芯上.

2020-10-30 21:21:47

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