请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．（1）Ga原子的电子排布式为______．（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与___

　　请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．

　　（1）Ga原子的电子排布式为______．

　　（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与______个As原子相连，与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为______．

　　（3）在四大晶体类型中，GaAs属于______晶体．

　　（4）As与Ga之间存在的化学键有______（填字母）

　　A．离子键 B．σ键 C．π键 D．氢键 E．配位键 F．金属键 G．极性键

　　（5）GaAs晶胞如图所示，其晶胞边长为564.0pm，密度为______g/cm3（列式并计算），a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为141

　　3

　　141

　　3

　　pm（列式表示）．（Ga、As的相对原子质量分别为70、75）