砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：（1）写出基态As原子的核外电子排布式___．（2）根据元素周期律，原子半径Ga___As，第一

　　砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：

　　（1）写出基态As原子的核外电子排布式___．

　　（2）根据元素周期律，原子半径Ga___As，第一电离能Ga___As．（填“大于”或“小于”）

　　（3）AsCl3分子的立体构型为___，其中As的杂化轨道类型为___．

　　（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是___．

　　（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg•cm-3，其晶胞结构如图所示．该晶体的类型为___，Ga与As以___键键合．Ga和As的摩尔质量分别为MGag•mol-1和MAsg•mol-1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为___．