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  如图所示,位于竖直平面内的矩形单匝导线框abcd,其下方有一匀强磁场区域,该区域的上边界PP´水平且与ab边平行,方向与线框平面垂直.已知磁场的磁感应强度为B,线框边长ab=L1,ad=L2,

  如图所示,位于竖直平面内的矩形单匝导线框abcd,其下方有一匀强磁场区域,该区域的上边界PP´水平且与ab边平行,方向与线框平面垂直.已知磁场的磁感应强度为B,线框边长ab=L1,ad=L2,线框质量为m.令线框的dc边从距磁场区域边界PP´的高度h处由静止开始下落,线框刚好匀速进入磁场区域.

  (1)求线框的电阻R.

  (2)求线框在进入磁场的过程中,通过线框导线横截面积的电荷量q.

  (3)若将线框从dc边距磁场区域边界PP´的高度H处由静止开始下落,当线框的一半进入磁场时,线框刚好开始匀速下落,求线框进入磁场的过程中产生的焦耳热Q.

1回答
2020-05-30 01:00
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  (1)设线圈刚进入磁场时的速度大小为v,则有v2=2gh

  得v=

  2gh

2020-05-30 01:03:48

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