【数据统计分析4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考】

　　数据统计分析

　　4个变量,给你好几组数据,用什么软件可以轻松模拟出它的关系式,加100分

　　在利用单晶体片等离子蚀刻工具开发氮化物蚀刻工序中,为了优化硅氮化物的刻蚀效果,即刻蚀率y,我们考虑其相应的影响因素.根据经验,电极间的间隙x1、气流（作为反应物气流浓度）x2和应用在阴极的RF功率是三个可能影响刻蚀效果的因素.为了量化分析,我们现进行16次实验（包括重复实验）,实验结果见附表1.请根据实验结果,回答下面的问题：

　　试确定工序刻蚀率的主要影响因素,并说明理由.

　　当电极间的间隙、气流和阴极的RF功率分别为1、150和300时,给出相应刻蚀率的预测结果.

　　能否通过适当控制得到一个最优工序刻蚀率?若存在最优的工序刻蚀率,请给出对应的相应的控制结果.

　　附表1实验结果

　　序号(cm)(SCCM)(W)(A/m)

　　10.8125275550

　　21.2125275669

　　30.8200275633

　　41.2200275642

　　50.81252751037

　　61.2125275749

　　70.82002751075

　　81.2200275729

　　90.8125325604

　　101.2125325650

　　110.8200325601

　　121.2200325635

　　130.81253251052

　　141.2125325868

　　150.82003251063

　　161.2200325860